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九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- 金属インプリント法による結晶粒位置制御と単一結晶粒Si薄膜トランジスタへの応用
- C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- C-10-6 高機能型MOS-FETによる電力・速度制御型論理ゲートの検討(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
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- Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- TK-2-1 CMOS不揮発メモリとその設計法に関する研究開発及び事業化(TK-2. 北九州での知的クラスター創成事業(第1期)の概要と成果・課題と展望,大会委員会企画)
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- 『新・電気システム工学 電気電子計測』, 廣瀬明(著), 数理工学社, 2003-10, A5判, 定価(本体2,300円+税)
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