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九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- 順序回路型LUTカスケードによる多出力論理関数の実現(FPGAとその応用及び一般)
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- C-12-27 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析と画像処理の適用
- スタンプ法による有機材料の構造形成と電界放出型微小電子源への応用
- SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
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- SOI-MOS素子による光電流増幅
- SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増加
- SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増幅
- SOI-MOS素子による光電流増幅
- EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
- マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
- マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- リングオシレータによるスペクトル拡散方式
- 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))