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三菱電機株式会社ulsi開発研究所 | 論文
- ボディーコントロール回路を用いた低電圧/低消費電力SOI-DRAM
- ギガスケールDRAMのための低電圧回路技術
- 昇圧センスグランド方式によるリフレッシュ特性の改善
- 自動内部電源振幅制御データ保持モードを有する低消費電力DRAM
- 低電圧動作マージンを拡大した1MビットBiCMOS TTL SRAM
- 融合系Bi-nMOSゲートを用いた同期式256K Bi-CMOS ECL RAM
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
- 初期値の連続変形を考慮したホモトピー法による動作点解析
- 1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- パルスECRプラズマによるチャージアップ形状異常の抑制
- 超LSIの微細加工技術 (極限に挑む) -- (作製法(加工))
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- レジスト膜上のスピンオンガラス膜に発生する微細亀裂
- TMAH水溶液中でレジスト膜に発生した環境応力亀裂
- フォトレジスト膜の残留歪みと接着性に及ぼす溶剤の効果
- Al薄膜の表面粗さとレジスト微細パタ-ンの接着性
- 原子間力顕微鏡を用いた無機材料とポリマー間の接着強度の測定法