パルスECRプラズマによるチャージアップ形状異常の抑制
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概要
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チャージアップに起因したエッチングの局所形状異常(ノッチ)の抑制が微細パターンを形成するためには不可欠の課題である。今回μ波のパルス供給によるCl_2およびHClガスのパルスECRプラズマエッチングを検討した結果、放電のパルス化によりサイドエッチは減少し、かつアスベクト比依存性も無くなることがわかった。局所サイドエッチ抑制機構について検討した結果、Cl_2プラズマの場合にはアフターグロー中のイオン入射によるパターンの高電位化、HClプラズマの場合にはアフターグロー中の電子・水素イオン入射によりチャージアップを直接中和することがノッチ抑制機構であることが解明された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19