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三菱電機先端総研 | 論文
- 自己補対金属チェッカーボードパターンのテラヘルツ応答 (光ファイバ応用技術)
- チオフェン/フェニル系オリゴマー薄膜のフォトルミネッセンス
- チオフェンオリゴマー薄膜の作製と導波路デバイスへの適用
- チオフェンオリゴマー薄膜を用いた電界変調型光導波路デバイスの作製
- 分子線およびレーザー照射による光化学反応性分子膜の作製
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 17pRE-14 GaAs薄膜構造における時間分解反射分光
- 25aXD-6 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:理論
- 25aXD-5 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:実験
- 内部電場のナノ空間構造による巨大非線形応答
- 1)PHBを用いた波長多重型ホログラムの新しいリアルタイム記録再生の研究([情報ディスプレイ研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会 視聴覚技術研究会 映像表現研究会 画像処理・コンピュータビジョン研究会 画像通信システム研究会 画像応用研究会 インテリジェント映像メディア専門研究部会]合同)
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性