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三菱電機先端総研 | 論文
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
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- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- 27aYA-6 小型放射光装置の高繰り返し入射法のシミュレーション実験
- 冷温高湿庫に貯蔵した果実の成分変化-負イオンとオゾン混合ガスにより微生物制御
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 金属上のチオフェン6量体の配向と界面構造
- 偏光軟X線吸収分光による有機分子線蒸着法で成膜したα-Sexithienylの分子配向に関する研究
- チオフェンオリゴマー分子配向薄膜の作製と非線形光学特性
- 3K112 強誘電性液晶の階調性(2)
- 3K111 強誘電性液晶における階調性(1)
- フラビン-ポルフィリンヘテロ接合分子膜の電子移動
- 自己補対金属チェッカーボードパターンのテラヘルツ応答(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 自己補対金属チェッカーボードパターンのテラヘルツ応答(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- FIB装置を用いたZnOバリスタ単一粒界解析
- Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
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