スポンサーリンク
三菱電機(株) メモリ事業統括部 | 論文
- ソフトエラー耐性を向上させた500MHz動作パイプラインバーストSRAM
- Super-CMOS SRAMにおけるアクセス解析
- Gate-Protected Poly-Diode型チャージポンプを用いた1.8V単一電源16Mbit-DINOR型BGOフラッシュメモリ
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- CPU直結型コントローラ内蔵 16M CDRAM
- 64Kワ-ド×32ビットパイプラインバ-ストSRAM (特集"半導体") -- (メモリ)
- 低電圧動作マージンを拡大した1MビットBiCMOS TTL SRAM
- ビット線負荷交互配置構成を用いた5ns32K×8/×9bi-CMOS TTL SRAM
- 融合系Bi-nMOSゲートを用いた同期式256K Bi-CMOS ECL RAM
- 画像用キャッシュDRAM
- Zコンペア/αブレンドユニット内蔵三次元フレームバッファメモリー
- Cached DRAMのパーソナルコンピュータへの応用 : Cached DRAMによるパーソナルコンピュータの高速化、低消費電力