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ルネサスエレクトロニクス(株) | 論文
- 携帯電話端末システムにおける高周波部品の進化
- クラスタボロン注入を用いた浅いソースドレインエクステンションの形成
- 30Vゲート/80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果
- 32nmノード以降のメタルゲート/high-k CMOSの接合形成技術
- 40-60V車載向け多段イオン注入法によるNチャネルスーパージャンクションUMOSFETの開発
- 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成
- ノーマリオフコンピューティング課題と挑戦(集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
- リアルタイム組込みシステム向けのリソースパーティショニング用ハードウェア支援技術の開発
- リアルタイム組込みシステム向けのリソースパーティショニング用ハードウェア支援技術の開発
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ノーマリーオフコンピューティング:2. センサ端末におけるノーマリーオフコンピューティング
- 縦型 Resurf 構造を用いた超低オン抵抗18V耐圧NチャネルUMOSFET
- 30Vゲート/80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果
- 40-60V車載向け多段イオン注入法によるNチャネルスーパージャンクションUMOSFETの開発
- C-11-2 SiONゲート絶縁膜形成後大気曝露の絶縁破壊特性への影響(C-11. シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 光り輝く日本のイメージセンサ技術とその応用の今後の取組み(特別寄稿)
- リアルタイム組込みシステム向けのリソースパーティショニング用ハードウェア支援技術の開発(プロセッサ・ハードウェア,組込み技術とネットワークに関するワークショップETNET2013)