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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 | 論文
- ミリ波広帯域HBT-VCO
- 40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- C-2-1 アクティブ方向性結合器の開発III : ディジタルキャリブレーションに関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-42 アクティブ方向性結合器の開発IV : 簡易・広帯域回路構成の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エミッタ電極からの熱伝導を利用したAlGaAs/GaAsパワーHBTの特性
- C-12-13 待機電力極小化LSI "ecoチップ^"の開発III : トランスインピーダンスアンプ部(低電力回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)
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