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(株)東芝研究開発センターULSI研究所 | 論文
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
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- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
- シリコンデバイスの微細化と性能限界
- 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
- 5-7 2/3イン200万画素スタックCCDの固定パターン雑音の低減
- 27-1 2/3インチ200万画素スタックCCD実験カラーカメラ
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 容量性残像のない200万画素PSID : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-12 CCD用高感度電荷検出器
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ