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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター | 論文
- 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
- 65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 (シリコン材料・デバイス)
- 対拡散モデルを用いた高濃度ホウ素の拡散シミュレーション : 高速計算手法とシミュレーション精度
- RF MEMS可変容量素子 (特集 ナノテクノロジー)
- 超微細Cu配線における電気抵抗率上昇の検討
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)
- 招待講演 ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して (集積回路)
- 招待講演 ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して (シリコン材料・デバイス)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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- リソグラフィの歴史と今後の展望(基調講演,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法(微細化対応技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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- リソグラフィの歴史と今後の展望(基調講演,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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