超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法(微細化対応技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)

概要

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光リソグラフィの限界を超えたパターンを露光するために近年様々な技術が提案されており,その代表的なものにダブルパターニング技術がある.ダブルパターニング技術にはピッチスプリットと側壁ダブルパターニングの2つがあり,後者の側壁ダブルパターニングは側壁加工技術を用いて光リソグラフィでは露光できないサイズおよびピッチのパターンを形成する技術である.しかし側壁加工技術には,リソグラフィで露光するマスクパターンと最終的にシリコンウェハ上に形成される回路パターンが異なるという特徴があり,設計者は最終的な回路パターンを想定しながらマスクに描画するパターンを設計しなければならなず,これはとても困難な作業である.そこで本稿では,2色に塗り分けられたベースとなるレイアウトパターンに対して定められた設計ルールのもと設計者が配線の接続および切断操作を行い,その結果得られたレイアウトパターンからマスク描画用のパターンを容易に求めることが可能な,側壁ダブルパターニングのための設計手法を提案する.
2011-11-21