小谷 敏也 | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

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• 三本木 省次

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• 児玉 親亮

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  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

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著作論文

• 65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法(微細化対応技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法(微細化対応技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)

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