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(株)東芝セミコンダクター社 | 論文
- DT-1-3 マルチコアプロセッサとしてのCell Broadband Engine(DT-1. コンピュータシステム最前線-マルチコアプロセッサ-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- Cell/B.E.プロセッサによるステレオマッチングソフトウェアの高速化(最適化・高速化)
- Cell Broadband Engineを用いたマーカレス モーションキャプチャ
- 情報セキュリティ向け超小型物理乱数生成回路(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R](メモリ技術)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 低電力BluetoothシングルチップLSI : 回路/無線アーキテクチャ/システムレベルの最適化(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 1.5MHz-IF受信方式および直接変調送信方式によるシングルチップCMOS Bluetoothトランシーバ(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- RIEプラズマ耐性の持つ、ポーラスPE-CVD SiOC膜(k
- SB-5-3 DC-DCコンバータ用高速パワーMOSFET技術(SB-5. 電子通信機器用電源の小型・高効率・分散化技術の現状と動向)
- 温度変動による利得変化を抑制したCMOS可変利得増幅器
- 可変セクタビームアンテナの検討
- Si基板上の受動素子のモデリング
- 1.9GHz 帯ダイレクトコンバージョン受信モジュール
- 1.9GHz Si-低雑音増幅器
- 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
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