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(株)日立製作所半導体グループ | 論文
- 層間絶縁膜中OH基によるPt/PLZT/Ptキャパシタの劣化
- BSIMを用いたRF-LDMOSモデル
- CMOSによるGSM端末向け周波数変換用PLL
- GSM端末用1チップRF-ICの開発
- IC封止樹脂の新接着強度測定法
- GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析(半導体材料・デバイス)
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
- 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
- テスト容易化設計技術の専用VLSIへの適用 (VLSIのテスト容易化設計)
- 応力特異場パラメータを用いた半導体プラスチックパッケージの信頼性評価
- はんだリフロー工程における半導体パッケージクラックに及ぼす熱応力の影響
- 被覆ワイヤボンディング技術の開発
- 吸湿による樹脂膨潤を考慮したICパッケージ接着界面のはく離発生評価
- パッケージング応力起因の半導体素子特性変動(先進材料と信頼性解析・評価)
- シリコン薄膜の結晶化応力に及ぼすリン(P)ドーピングの影響の検討
- 表面実装型IC樹脂封止パッケージの耐リフロークラック性評価装置の試作
- IC封止樹脂の接着強度測定とパッケージ接着界面のはく離発生予測
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第3報,素子接着剤層の影響
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の強度特性に及ぼす粒子形状と粒度の影響