GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析(半導体材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
イオン打込みGaAsMESFETにおける, 相互コンダクタンス(G_m), ドレーンコンダクタンス(G_d)の周波数分散の実験結果を二次元デバイスシミュレーションで解析する.実験ではドレーン電流飽和領域でG_mは負, G_dは正の周波数分散を示し, 活性化エネルギーはともに0.7eV付近である.電流線形領域でG_mは0.42eVの正の分散を示すが, G_dの周波数分散は見られない.先の実験のドレーン電圧条件とバッファ層有無による変化をもとに, 表面に0.42eV, 基板に0.71eVのトラップを仮定したシミュレーションにより, G_m, G_dの実験結果の特徴を再現することができた.この結果, 線形領域におけるG_mの正の分散は表面トラップ, 飽和領域におけるG_mの負の分散とG_dの正の分散は基板トラップによることが分かった.G_dの正の分散はトラップの電子捕獲の遅れによる.飽和領域におけるG_mの負の分散は, 基板へのドレーン電流侵入とキャリヤ蓄積によるトラップの電子の放出遅れによって起こることが分かった.
- 2005-05-01
著者
関連論文
- GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析(半導体材料・デバイス)
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる線幅測定
- GaAs FETの周波数依存性デバイスモデルの開発
- デバイス物理に基づくGaAs FETの解析モデル
- C-10-13 内部物理現象を考慮したGaAsFET回路解析モデル(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 GaAsMESFET ゲートラグの動作条件依存性
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- C-10-11 デバイスシミュレーションを基にしたGaAsFETの解析モデル
- C-10-5 GaAsMESFETの表面トラップによるゲートラグ抑制
- GaAsMESFETのゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる距離計測
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる距離計測
- C-3-54 自己混合半導体レーザによる周波数差計測
- 自己混合半導体レーザによる微少周波数差計測
- 自己混合半導体レーザを用いた水面位置計測
- GaAs MESFETにおけるg_m/g_d周波数分散の温度依存性
- GaAsMESFETのg_mとg_dの周波数分散を考慮した等価回路モデル
- C-10-3 InGaP/GaAs HBT の直流温度特性
- C-11-8 MOSFET低周波ノイズのゲート寸法依存性
- C-10-17 AlGaAs/GaAs HEMTにおける g_m/g_d の周波数分散
- ドレイン電流飽和を含めたGaAsFETの解析モデル
- GaAs MESFET周波数分散の基板界面効果