古寺 博 | 千葉工業大学電子工学科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
古寺 博
千葉工業大学電子工学科
-
古寺 博
千葉工業大学工学部
-
古寺 博
電子工学科
-
蓮見 由美子
千葉工業大学工学部
-
角 正雄
千葉工業大学電子工学科
-
角 正雄
千葉工業大学工学部電子工学科
-
大島 勉
千葉工業大学工学部
-
角 正雄
千葉工大
-
角 正雄
千葉工業大学
-
小竹 佑治
千葉工業大学電子工学科
-
黒岩 創吾
千葉工業大学工学部電子工学科
-
西村 喜光
千葉工業大学工学部電子工学科
-
西村 喜光
(株)日立メデイコ
-
孫 偉
千葉工業大学電子工学科
-
松永 信敏
(株)日立製作所半導体グループ
-
角 正雄
電子工学科
-
芦 漢生
千葉工業大学電子工学科
-
新籾 雅士
電子工学専攻
-
神宮 済民
電子工学専攻
-
笠井 岳彦
電子工学専攻
-
新籾 雅士
千葉工業大学工学部電子工学科
-
山本 久人
千葉工業大学工学部電子工学科
-
神宮 済民
千葉工業大学 工学部 電子工学科
-
宮城 和彦
千葉工業大学工学部電子工学科
-
福田 英人
千葉工業大学 工学部 電子工学科
-
笠井 岳彦
千葉工業大学工学部電子工学科
著作論文
- GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析(半導体材料・デバイス)
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる線幅測定
- C-10-13 内部物理現象を考慮したGaAsFET回路解析モデル(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 GaAsMESFET ゲートラグの動作条件依存性
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- C-10-11 デバイスシミュレーションを基にしたGaAsFETの解析モデル
- C-10-5 GaAsMESFETの表面トラップによるゲートラグ抑制
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる距離計測
- 正弦波変調自己混合半導体レーザによる距離計測
- C-3-54 自己混合半導体レーザによる周波数差計測
- 自己混合半導体レーザによる微少周波数差計測
- 自己混合半導体レーザを用いた水面位置計測
- GaAs MESFETにおけるg_m/g_d周波数分散の温度依存性
- GaAsMESFETのg_mとg_dの周波数分散を考慮した等価回路モデル
- C-10-3 InGaP/GaAs HBT の直流温度特性
- C-11-8 MOSFET低周波ノイズのゲート寸法依存性
- C-10-17 AlGaAs/GaAs HEMTにおける g_m/g_d の周波数分散
- ドレイン電流飽和を含めたGaAsFETの解析モデル
- GaAs MESFET周波数分散の基板界面効果