GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
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概要
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GaAsMESFETにおけるゲートラグへの表面トラップの効果を二次元デバイスシミュレーションで解析する。アクセプタ型表面トラップのエネルギー準位を変えたときの、直流および過渡特性の双方を論ずる。直流特性では、表面トラップにより表面空乏層が形成され、表面ポテンシャルが変化してしきい値電圧が変化する。過渡特性は表面トラップエネルギー準位により、ゲートラグなし、二段階の遅れ、単純な遅れの3つに分かれ、、表面空乏層とゲート空乏層の時間変化によって説明される。また、表面電位の制御により、ゲートラグが抑制されることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-19
著者
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