GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
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概要
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GaAsMESFETにおけるゲートラグへの表面トラップの効果を2次元デバイスシミュレーションで解析する.アクセプタ型表面トラップのエネルギー準位を変化させ, 過渡特性に加えて直流特性を求めることにより現象の理解を図る.この結果, 直流特性では, 表面トラップによる表面空乏層のため, しきい値電圧, ドレーン飽和電流が変化し, 表面トラップによるゲート空乏層の横方向広がりのため, 短チャネル効果が弱められる.過渡特性は表面トラップエネルギー準位により, ゲートラグなし, 2段階の遅れ, 典型的なゲートラグの三つに分かれ, 表面空乏層とゲート空乏層の時間変化の違いによって説明できる.これらの結果から, 表面電位の制御によるゲートラグの抑制法を提案する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-01
著者
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