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(株)富士通研究所 基盤技術研究所 | 論文
- X線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討
- ソルテック 1-GeV, 500mA 電子蓄積リング真空系の現状
- 高記録密度に向けたハードディスク潤滑剤の開発 : 分子高さを制御した新規潤滑剤
- 高記録密度に向けたハードディスク潤滑剤の開発 : 分子高さを制御した新規潤滑剤(ハードディスクドライブ及び一般)
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- 放射光の鉄鋼研究への応用-12 : 放射光を用いたクロメート皮膜中6価クロムの非破壊分析
- X線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討
- 多素子型赤外線センサ
- X線共鳴磁気反射率および偏極中性子反射率測定による磁気デバイス用MnIr/CoFe交換結合膜のスピン分布の研究
- 浅いソース・ドレイン接合をもつ微細pMOSFETの特性
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- 低損失/低ノイズ基板技術開発の状況(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
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- 裏面入射型赤外線検知器の画素分離溝による空間解像度の向上
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
- 高速,低電圧動作のためのディープサブミクロンCMOSデバイス技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
- 多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価