ＩＣＰエッチングダメージが単結晶シリコンのぜい性破壊強度に及ぼす影響

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概要

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• Brittle strength of single crystal silicon is greatly affected by surface etching damage. ICP-etching induced notching is well-known to be most dominant damage in MEMS process. Many experimental approaches toward notching-free process have been carried out. In this study, we have proposed the bending test for evaluating the effect of notching damage on the brittle strength. The test was applied to five kinds of specimens involving identical geometry and different etching damage. Etching damage was quantified by the surface roughness which was measured by laser microscope. It was found that linear relationship between brittle strength and notching roughness can be seen and the strength increases about 200MPa as the roughness decreases 0.1<I>μ</I>m.

著者

• 泉 聡志

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 信介

  東京大学大学院工学系研究科

• 磯川 俊彦

  オリンパス

• 宮島 博志

  オリンパス(株)

• 酒井 信介

  東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻

• 磯川 俊彦

  オリンパス(株)MEMS開発本部プロセス技術部

• 村上 賢治

  オリンパス(株)MEMS開発本部MEMS事業推進部

• 久保寺 裕典

  東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻

• 宮島 博志

  オリンパス(株)MEMS開発本部MEMS事業推進部

• 泉 聡志

  東京大学大学院 工学系研究科

• 酒井 信介

  東京大学大学院 工学系研究科

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