埋め込み形S-SC-Sジョゼフソン接合製作の可能性
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概要
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It has been confirmed that thin Si walls with the thickness of1000 Å can be fabricated on Si wafers by using an electron-beam lithography and a dry etching process. It has also been observed that superconducting V<SUB>3</SUB>Si layers, whose transition onset temperatures T<SUB>c.on</SUB> are strongly correlated with their thicknesses, are formed by the interaction of V with SiO<SUB>x</SUB>. And it has been found that a double-layer structure VO<SUB>x</SUB>/V<SUB>3</SUB>Si/Si, or a triple-layer structure VO<SUB>x</SUB>/V<SUB>3</SUB>Si/SiO<SUB>x</SUB>/Si or VO<SUB>x</SUB>V<SUB>3</SUB>Si/V<SUB>3</SUB>Si<SUB>1+α</SUB>/Si can be obtained by annealing evaporated V films on thinly oxidized Si wafers between650 and 1000°C. Based on the obtained results the possibility of the fabrication of planar S-SC-S-type Josephson junctions having V<SUB>3</SUB>Si electrodes embedded in Si single crystal wafers has been discussed.
- 日本真空協会の論文
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