MOCVD による ZrO<SUB>2</SUB> 薄膜形成時の表面反応速度 : ミクロトレンチによる検討
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概要
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低圧 MOCVD によりミクロトレンチを持つシリコン基板上に ZrO<SUB>2</SUB> 薄膜を生成し, ステップカバレッジをSEM により観察した.原料としてβ-ジケトン錯体の一種である Zr (C<SUB>11</SUB>H<SUB>19</SUB>O<SUB>2</SUB>) <SUB>4</SUB> を用いた.反応温度 823K〜1023K, 操作圧, 0.4〜4.0kP で実験を行った.モンテカルロ法を用いたプログラムを作成して, 実験的に得られた成膜形状をシミュレートした。膜厚分布形状をシミュレーションで再現することにより成膜種の付着確率を決定した.付着係数 (表面反応速度定数) は操作圧に影響を受けなかった.反応温度 823K〜1023Kににおける表面反応速度定数を決定した.アレニウス・プロットにより <I>T</I> <900Kで 188kJ/mol, <I>T</I>>900K で 38kJ/ mol という二種類の活性化エネルギーが得られた.
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