水平型CVD装置内における流動ならびに物質移動
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概要
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水平型CVD装置内における流動および物質移動特性を気相および表面反応, 熱拡散ならびに物性値の組成依存性を考慮した2次元モデルの数値解に基づき検討した.解析結果より, 循環流 (横渦) は平均温度で定義される無次元数を用い, <I>Re</I><3では<I>Gr/Re</I>>130, <I>Re</I>>3で<I>Gr/Re</I><SUP>2</SUP>>40で発生することがわかった.また一例として取り上げたCaAs系MOCVDに関する成膜速度の実測値を比較的良好に表現できることがわかった.熱拡散や物性値の温度依存性を考慮しない簡易的モデルによっても成膜特性に及ぼす気相および表面反応の影響をある程度把握することが可能であることがわかった.本解析法はCVD装置の一般的挙動を明らかにする上で有効であることがわかった.
- 社団法人 化学工学会の論文
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