CVD-SiCコーティング・ニカロンの酸化機構
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概要
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The oxidation mechanism of Nicalon coated with CVD⋅SiC layer was studied. Using CH<SUB>3</SUB>SiCl<SUB>3</SUB>-H<SUB>2</SUB> gas mixture, CVD⋅SiC was deposited on Nicalon fiber heated at 1473K. The rate of oxidation was measured with a thermobalance in O<SUB>2</SUB> stream at temperatures from 1473 to 1773K. The reaction products were examined by X-ray diffraction and SEM observation.<BR>The oxidation film was formed at the skin. of CVD⋅SiC layer. Neither oxidation nor pyrolysis proceeded in Nicalon coated with CVD⋅SiC. The oxidation rate of CVD⋅SiC was slower than that of Nicalon. The oxidation rate of CVD⋅SiC followed the parabolic rate law. The activation energy was 186kJ/mol. It is considered that the oxidation rate is controlled by the gaseous diffusion through the micro-pores in the oxide film.
著者
-
下尾 聰夫
大阪府立大学工学研究科
-
岡村 清人
大阪府立大学工学部
-
本城 国明
大阪工業技術研究所材料物理部
-
下尾 聰夫
大阪府立大学大学院工学研究科
-
稲垣 秀哉
大阪府立大学大学院生
-
稲垣 秀哉
大阪府立大学大学院
-
岡村 清人
大阪府立大学 工学部
-
岡村 清人
大阪府立大学工学部金属工学科
-
下尾 聰夫
大阪府立大学工学部金属工学科
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