ZnO<SUB>x</SUB>薄膜のSAWデバイス,透明導電膜への応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Zinc oxide thin films were well known to grow parallel to the C-axis, a (002) oriented film, on various substrates. To utilize for the SAW (Surface Acoustic Wave) devices, a (110) textured and high resistivity films are necessary. By considering the binding style, the (110) oriented film devices could be obtained. In this paper, the resistivity controlling of ZnO films having the controlled texture to apply for the SAW filter and the transparent conducting film is discussed.
著者
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学大学院工学研究科
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学工学部
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科
-
西原 時弘
大阪府立大学大学院
-
後藤 清毅
大阪府立大学学生
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学 工学部
関連論文
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 (特集 半導体エレクトロニクス)
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
- 21aVE-2 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aVE-1 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- (91)創成型科目としての機能物質科学序論(第23セッション 創成教育(III))
- YMnO3系マルチフェロイック薄膜の物性と応用 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))
- 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性
- YMnO_3/Y_2O_3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性
- Electro-Optic Effect in Epitaxial ZnO:Mn Thin Films
- Crystal Growth and Interfacial Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates
- Ferroelectricity in Li-Doped ZnO:X Thin Films and their Application in Optical Switching Devices
- 18aYG-9 CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体におけるHall効果
- 新結晶・新物質 Si:Ce稀薄磁性半導体薄膜の新規な物性
- Lowering the Crystallization Temperature of YMnO_3 Thin Films by the Sol-Gel Method Using an Yttrium Alkoxide
- RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO:X薄膜の作製と誘電特性
- RMnO_3(R:rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO : X薄膜の作製と誘電特性
- Effects of Stoichiometry and A-site Substitution on the Electrical Properties of Ferroelectric YMnO_3
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- 水溶液から電位変化法により作製した傾斜機能酸化亜鉛膜のキャラクタリゼーション
- Cu-Ni-Al合金の加工熱処理に及ぼすTi添加の影響
- Cu-7.5at%Ni-2.5at%Al 合金の加工熱処理
- Cu-7.5at% Ni-2.5at%Al 合金の加工時効処理
- CuInSe_2の固相成長と評価 : 達成密度および空気中熱処理の電気的性質におよぼす効果 : 評価
- YMnO_3 Thin Films Prepared from Solutions for Non Volatile Memory Devices
- Fabrication of YMnO_3 Thin Films on Si Substrates by a Pulsed Laser Deposition Method
- Novel Ferroelectric Gate Thin-Film Transistors Using a Polar Semiconductor Channel
- Synthesis of Bi(Fe_xAl_)O_3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition and Its Structural Characterization
- Improvement of Surface Morphology and Dielectric Property of YMn0_3 Films
- "入門固体物性-基礎からデバイスまで-"斎藤博, 今井和明, 大石正和, 澤田孝幸, 鈴木和彦(共著)
- サファイア基板上での強誘電体エピタキシャル薄膜 : 表面弾性波素子への応用
- 酸化物ヘテロ界面の化学結合様式と構造設計
- 酸化物薄膜の配向制御
- 機能性セラミックス薄膜の組織制御
- 弾性歪,界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的,実験的研究 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 酸化物薄膜の配向制御とヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
- 5083アルミニウム合金の超塑性に及ぼすZr添加の影響
- 5083-0.12wt%Zrアルミニウム合金の超塑性挙動
- Bi2Sr2CuOx薄膜の配向性御 : Self-textureとEpitaxy
- Bi系超伝導薄膜における相変化及び過剰原子の挙動
- Cu-Ni-Al合金の時効と変形挙動
- LiNbO3のエピタキシャル成長に及ぼす界面エネルギーの影響
- ZnOx薄膜のSAWデバイス,透明導電膜への応用
- LiNbO3薄膜の結晶成長
- 金属とSiの固相反応--シリサイドの形成
- 213 アルミニウム合金の超塑性(多結晶の変形)
- Silicon Processing for Photovoltaics, C.P.Khattak and K.V.Ravi(編), 1985年, Elservier Science Publishers 発行, 15×22cm, 380ページ
- 酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違
- セラミックス粒子で混合充填された複合粉末の作製とその形成モデル (金属系高密度・高強度材料,傾斜機能材料,ナノメ-タコンポジット材料) -- (傾斜機能材料)
- 誘電泳動により作製したTiO2ナノチューブ電界効果トランジスタの電気伝導
- 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO薄膜の低温形成とその成長形態
- 28pPSB-25 不純物ドープSiの常温赤外発光(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果