レーザーアブレーション法によるZnO : X薄膜の作製と誘電特性
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概要
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レーザーアブレーション法によりZnO:X(X=Li,Mg)薄膜を作製し、その誘電特性を検討した。室温で作製したZnO:10%Li薄膜においてリーク電流が大きいながらも強誘電性の分極反転型C-Vヒステリシスが確認された。リーク電流の改善のためにMgドーピングを行ったところ、リーク電流の低減に加えてC-V特性におけるメモリウィンドウ幅の増大等の誘電特性の向上が見られた。現実にデバイス応用を考えた場合、Li可動イオンによる空間電荷をきちんと評価しなければならない。本研究において作製されたサンプルは10V以上の高電圧においてLiイオンのドリフトによるC-Vヒステリシスと強誘電性によるC-Vヒステリシスが混在していることを電気的測定により明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学大学院工学研究科
-
伊藤 太一郎
大府大院工
-
若野 寿史
阪府大工
-
志村 環
大阪府立大学工学部機能物質科学科
-
若野 寿史
大阪府立大学工学部機能物質科学科
-
伊藤 太一郎
阪府大工
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学工学部
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学 工学部
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院
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