定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ZnO thin films were prepared from an aqueous zinc nitrate solution by an electrochemical deposition method. To control the growth rate of the ZnO films, electrochemical deposition was carried out by applying constant current density, rather than constant potential as in conventional methods. The preferred orientation of ZnO films deposited on polycrystalline Au electrodes changed depending on the cathodic current density. The grain size and grain shape could also be controlled by changing the current density. An epitaxial layer of Pt(111) on c-sapphire was also used as an electrode. ZnO films prepared by application of high current densities exhibited not only (0002) orientation but also other orientations. At low current densities, the deposition formed not a film but rather isolated hexagonal columnar grains on the electrode. At intermediate cathodic current densities, epitaxial ZnO thin films were obtained. At 100mA/cm2, a continuous epitaxial ZnO thin film without pits or spaces between grains was obtained. Therefore, it is expected that the proposed electrochemical deposition method has potential to be applied to preparation of functional materials with well-controlled structures.
著者
関連論文
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 (特集 半導体エレクトロニクス)
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
- 21aVE-2 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aVE-1 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- YMnO3系マルチフェロイック薄膜の物性と応用 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))
- 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性
- YMnO_3/Y_2O_3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性
- Electro-Optic Effect in Epitaxial ZnO:Mn Thin Films
- Crystal Growth and Interfacial Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates
- Ferroelectricity in Li-Doped ZnO:X Thin Films and their Application in Optical Switching Devices
- 18aYG-9 CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体におけるHall効果
- 新結晶・新物質 Si:Ce稀薄磁性半導体薄膜の新規な物性
- Lowering the Crystallization Temperature of YMnO_3 Thin Films by the Sol-Gel Method Using an Yttrium Alkoxide
- RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO:X薄膜の作製と誘電特性
- RMnO_3(R:rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
- レーザーアブレーション法によるZnO : X薄膜の作製と誘電特性
- Effects of Stoichiometry and A-site Substitution on the Electrical Properties of Ferroelectric YMnO_3
- 水溶液から電位変化法により作製した傾斜機能酸化亜鉛膜のキャラクタリゼーション
- 01aC11 電気化学的堆積法によるZnO薄膜の成長速度依存性(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- CuInSe_2の固相成長と評価 : 達成密度および空気中熱処理の電気的性質におよぼす効果 : 評価
- YMnO_3 Thin Films Prepared from Solutions for Non Volatile Memory Devices
- Fabrication of YMnO_3 Thin Films on Si Substrates by a Pulsed Laser Deposition Method
- Novel Ferroelectric Gate Thin-Film Transistors Using a Polar Semiconductor Channel
- Synthesis of Bi(Fe_xAl_)O_3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition and Its Structural Characterization
- Improvement of Surface Morphology and Dielectric Property of YMn0_3 Films
- サファイア基板上での強誘電体エピタキシャル薄膜 : 表面弾性波素子への応用
- 酸化物ヘテロ界面の化学結合様式と構造設計
- 酸化物薄膜の配向制御
- 機能性セラミックス薄膜の組織制御
- 弾性歪,界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的,実験的研究 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 酸化物薄膜の配向制御とヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
- Bi系超伝導薄膜における相変化及び過剰原子の挙動
- LiNbO3のエピタキシャル成長に及ぼす界面エネルギーの影響
- ZnOx薄膜のSAWデバイス,透明導電膜への応用
- LiNbO3薄膜の結晶成長
- 金属とSiの固相反応--シリサイドの形成
- 酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違
- 誘電泳動により作製したTiO2ナノチューブ電界効果トランジスタの電気伝導
- 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO薄膜の低温形成とその成長形態
- 28pPSB-25 不純物ドープSiの常温赤外発光(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果