Bi系超伝導薄膜における相変化及び過剰原子の挙動
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The behavior of excess atoms and the formation of the high-Tc phase were investigated on thin films crystallized from the amorphous Bi-Sr-Ca-Cu-O prepared by a rf magnetron sputtering. In the films which have more Ca and Cu than the stoichiometric 80K phase composition, formation of the 80K phase may cause the segregation of excess Ca and Cu atoms of grain boundaries by annealing at the special temperature range. Segregation and the vaporization of them have unfavorable influence on the surface structure and the electrical property. And by annealing at lower temperature, excess atoms do not segregate in spite of formation of the 80K phase. But, in the films which once formed the 80K phase, the 110K phase could not be obtained by post-annealing.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
-
伊藤 太一郎
大府大院工
-
伊藤 太一郎
阪府大工
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学工学部
-
永井 智
大阪立大学大学院
-
藤村 紀文
大阪立大学工学部
-
伊藤 太一郎
大阪立大学工学部
関連論文
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 (特集 半導体エレクトロニクス)
- 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
- 21aVE-2 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aVE-1 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- YMnO3系マルチフェロイック薄膜の物性と応用 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))
- 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性
- YMnO_3/Y_2O_3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性
- Electro-Optic Effect in Epitaxial ZnO:Mn Thin Films
- Crystal Growth and Interfacial Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates
- Ferroelectricity in Li-Doped ZnO:X Thin Films and their Application in Optical Switching Devices