RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
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概要
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(111)Y_2O_3/(111)Si 基根上にYMnO_3(Y/Mn=1)および YbMnO_3(Yb/Mn=0.96)薄膜を作製し、どちらの物質においてもc軸配向膜が得られた。C-V特性は分極型を示したが、メモリーウインドウ幅はバイアス電圧の挿引幅に依存して変化した。強誘電性に起因するヒステリシスとともに空間電荷によるものが含まれていると予想される。純粋に強誘電性のみによって生じるC-V曲線の挙動を明らかにすると共に、試料の構造を最適化するためにMFIS構造における高周波 C-V曲線のシミュレーションを行い、絶縁体膜の膜厚と強誘電体膜に印加される反電圧の大きさとの関係を明らかにした.またその容量変化に及ぼす影響を議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学大学院工学研究科
-
吉村 武
大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻電子物理工学分野
-
伊藤 太一郎
大府大院工
-
伊藤 大輔
大阪府立大学工学部機能物質科学科
-
伊藤 太一郎
阪府大工
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学工学部
-
吉村 武
大阪府立大学大学院工学研究科機能物質科学分野
-
藤村 紀文
大阪府立大学大学院工学研究科
-
伊藤 大輔
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
吉村 武
大阪府立大学大学院工学研究科
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学 工学部
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