915nm半導体レーザーの高出力化における窓構造とその特性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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IFVD (Impurity-Free Vacancy Disordering)法によって窓構造を形成した915nm高出力半導体レーザーについて報告する.窓構造を適切に形成することで,出力15W動作における信頼性を確認した.窓領域およびゲイン領域のバンドギャップ差とデバイスの信頼性との関係についても述べる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
前田 純也
浜松ホトニクス(株)
-
森田 剛徳
浜松ホトニクス
-
鳥井 康介
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
-
長倉 建人
浜松ホトニクス株式会社
-
高氏 基喜
浜松ホトニクス株式会社
-
森田 剛徳
浜松ホトニクス株式会社
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