紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.本研究では、デバイスの光学および温度特性に加えキャリア再結合についても評価を行った。高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
-
吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
-
内山 和也
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
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