デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として,薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が非常に期待されている.しかしながら,TAOSはアモルファス構造に起因したギャップ内DOS(DOS)によって特性劣化が引き起こされることが報告されている.本研究では,劣化現象を解明するためATLASを用いてシミュレーションを行った.また,TAOS-TFTの信頼性試験で得られた電流電圧特性を理論的に解析することによってDOSの経時変化を分析した.
- 2012-11-30
著者
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浦岡 行治
奈良先端大
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石河 泰明
奈良先端大物質創成科学研究科
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石河 泰明
奈良先端大 物質創成科学研究科
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浦岡 行治
奈良先端大物質創成科学研究科
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浦川 哲
奈良先端大物質創成科学研究科
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上岡 義弘
奈良先端大物質創成科学研究科
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山崎 はるか
奈良先端大物質創成科学研究科
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