コリメータスパッタリングによる傾斜異方性膜の作製(信号処理,一般)
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概要
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斜方入射コリメータスパッタ堆積を用いてビットパターン媒体用傾斜磁気異方性膜の作製を検討した。アニール処理したT田Pt/Ru下地膜上に形成した膜厚10nmのCo-Pt20層において磁気異方性軸が10.程傾いていると見積もられた。この傾きは、膜の結晶配向の傾きとほぼ一致した。この膜の異方性磁界は、実測のヒステリシスループとシミュレーションによるループの印加磁界角度依存性とを比較することで12kOe程と見積もられた。この異方性磁界と飽和磁化より傾斜異方性膜の磁気異方性エネルギー密度は6・106erg/cm 3と見積もられた。斜方入射コリメータスパッタリングは高い異方性を持った傾斜異方性記録メディアの作製に有効であることがわかった。
- 2012-12-06
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