インピーダンス分光法によるAlq_3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析(有機材料・一般)
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概要
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Indium-Tin-Oxide(ITO)基板上に正孔輸送層にN,N'-bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(α-NPD)、発光層にtris-(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq_3)をそれぞれ真空蒸着法で60nm積層した素子で、初期輝度を5,000cd/m^2とした輝度半減寿命は20時間であった。次に、キャリア発生層として知られる、1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT(CN)_6)層をITO/α-NPD界面に10nm挿入した素子では輝度半減寿命は180時間となり、寿命が改善された。寿命が改善された原因を解明するためにインピーダンス分光法を用いて解析を行った。本研究では、Alq_3層、α-NPD層のそれぞれをRC並列回路とみなした等価回路モデルを設定し、等価回路のフィッティングによって、未劣化素子、輝度50%劣化素子における各層の抵抗値を求めた。HAT(CN)_6層の有無によらずAlq_3層が高抵抗化され、HAT(CN)_6層を挿入しない場合にα-NPD層の抵抗が増加した一方で、HAT(CN)_6層を挿入することによってα-NPD層の高抵抗化が抑制された。HAT(CN)_6層の挿入によるα-NPD層の劣化の抑制が寿命改善に繋がったと結論付けた。
- 2012-11-12
著者
-
梶井 博武
大阪大学
-
大森 裕
大阪大学大学院工学研究科
-
大森 裕
大阪大 先端科学イノベーションセ
-
梶井 博武
大阪大学大学院工学研究科
-
大城 朝是
大阪大学大学院工学研究科
-
大塚 岳夫
カネカ基盤技術協働研究所
-
小西 将弘
大阪大学大学院工学研究科
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