Alq_3有機EL素子のAl陰極/有機層界面におけるLiF挿入による過渡応答特性への影響(有機材料・一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
tris-(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq_3)を発光層とした有機ELデバイスの陰極としてフッ化リチウム(LiF)とアルミニウムを積層させた素子(LiF(0.5nm)/Al(10nm))と、LiFとAlを数種類の割合で混合させた素子(LiF:Al(10nm))を作製し、それらの電気光学特性と過渡応答特性の比較を行い、Al陰極に対するLiFの挿入効果について検討を行った。結果、LiFとAlを積層させた素子では最高発光輝度35000cd/m^2、最高発光効率3.9cd/Aが得られた。混合させた素子では、LiF含有率LiF:Al=1:10のとき、従来から高効率を示す構造として知られていたLiFとAlを積層させた素子と同等の電気光学特性(最高発光輝度34000cd/m^2、最高発光効率4.0cd/A)を示し、さらに過渡応答特性においては積層させた素子より短い立ち上がり時間を示した。
- 2011-09-15
著者
-
梶井 博武
大阪大学
-
大森 裕
大阪大学工学部
-
大森 裕
大阪大学大学院工学研究科
-
大森 裕
大阪大 先端科学イノベーションセ
-
大森 裕
大阪大学先端科学技術共同研究センター
-
梶井 博武
大阪大学大学院工学研究科
-
池田 智文
大阪大学大学院工学研究科
関連論文
- 赤色蛍光材料と青色燐光材料を用いた白色有機EL素子の応答特性(有機材料,一般)
- 有機光センサーデバイスの応用に向けた有機発光素子の過渡応答特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- フルオレン系共役ポリマーによるトップゲート型両極性有機電界効果トランジスタ(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
- C-13-1 酸化インジウム錫電極を用いたフルオレン系高分子によるトップゲート型有機電界効果トランジスタ(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- フレキシブル電子・光集積デバイス
- ポリアルキルフルオレンを用いた有機発光素子特性の薄膜相依存性
- 有機EL素子の発光効率改善の試み : バッファー層挿入の効果
- 二層積層構造有機EL素子における発光位置の検討
- ユーロピウム(III)錯体量子井戸構造による単色発光EL素子
- 有機EL素子における酸化アルミニュウムバッファー層の挿入効果