ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性(有機材料・一般)
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概要
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フルオレンとチオフェンのコポリマーであるpoly[(9,9-dialkylfluorene-2,7-dyil)-co-(bithiophene)](F8T2)を活性層に用いたp型有機トランジスタを作製して、そのゲート構造依存性について検討した。F8T2を異なる溶媒に溶解させてトップゲート型有機トランジスタを作製し、溶媒依存性を調べたところ大きな依存性は確認されなかった。また、トップゲート型有機トランジスタの半導体層-ソース/ドレイン電極界面に界面処理を施すことで未処理のものに比べて注入効率の向上が確認され、移動度に変化はないものの、閾値電圧が0V付近にシフトすることが分かった。界面処理により半導体層-電極におけるエネルギー障壁が緩和されたことが一つの要因と考えられる。対して、ボトムゲート型有機トランジスタを作製したところトランジスタ特性を得ることが出来なかった。C-V特性より、ボトムゲート型有機トランジスタではチャネルの形成が成されていないことが示唆された。
- 2008-09-23
著者
-
大森 裕
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
梶井 博武
大阪大学
-
大森 裕
大阪大学工学部
-
梶井 博武
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
広瀬 遥平
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
広瀬 遥平
大阪大 先端科学イノベーションセ
-
広瀬 遥平
大阪大学 先端科学イノベーションセンター
-
田村 弘毅
東京応化工業
-
大森 裕
大阪大 先端科学イノベーションセ
-
大森 裕
大阪大学先端科学技術共同研究センター
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