湿式法で作製したオリゴチオフェン有機トランジスタのポリマー絶縁膜界面の影響(有機材料・一般)
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概要
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有機電界効果トランジスタ(OFET)の材料の一つにチオフェン系材料が良く知られているが、チオフェン系材料は溶媒に対し難溶であるため真空蒸着法にて作製するのが一般的な手法とされている。一方で、有機デバイスのプロセス優位性を活かすためにはウェットプロセスが不可欠である。そこで本研究では、チオフェン系材料の中でも良好なOFET特性が報告されているオリゴチオフェン(DH-6T)を用いて、ウェットプロセスの中でもスピンコート法によりOFET特性を作製し、及びその特性改善へ向けた検討を行った。結果として溶液を高温加熱することでDH-6Tが可溶化し、スピンコート法にてDH-6Tの重量比が89wt%の時に移動度が0.028cm^2/Vsの特性を有するOFETを作製することに成功した。さらに、絶縁層表面にOTS処理を施すことにより閾値電圧を45.3Vから-2.8Vにまで減少させることができ、ノーマリーオフ型OFETへの改善を見出した。
- 2006-09-18
著者
-
梶井 博武
大阪大学
-
大森 裕
大阪大学 大学院 工学研究科
-
梶井 博武
大阪大学 先端科学技術共同研究センター
-
福田 翔平
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
大森 裕
大阪大 先端科学イノベーションセ
-
奥谷 浩
大阪大学 先端科学イノベーションセンター
-
福田 翔平
大阪大学 先端科学イノベーションセンター
-
梶井 博武
大阪大学 先端科学イノベーションセンター
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