CsFを陰極構成にもつ高分子系有機EL素子への電子注入機構の検討(有機材料・一般)
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概要
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高効率な有機EL素子を実現するためには、陰極からの高効率な電子注入が必要不可欠となる。現在まで、陰極と有機層界面に低仕事関数を有する薄膜金属や、フッ化物金属を用いることによる有機EL素子の高効率化に関する報告がされている。また、陰極からの電子注入メカニズムについての報告がある。本研究においては、陰極におけるフッ化セシウム(CsF)と金属の界面について着目し、ウェットプロセスにより作製した高分子系有機EL素子の電子注入の影響について検討した。CsF上のMgAgの膜厚が1nm以上で良好な注入が行われていることが確認できた。また、CsFとMgAgの蒸着順序によらず、有機層近傍においてその界面が存在すればよいことが分かった。高効率な電子注入を実現するにはCsF上に約25%程度のMgAgによる被覆で十分な特性が得られることが分かった。また、CsF上にMgあるいはAlを蒸着した場合もMgAgと同様に、CsF上に1nm存在すればよく発光材料に依存しないことが分かった。
- 2005-09-19
著者
-
大森 裕
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
梶井 博武
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
金 全健
大阪大学先端科学イノベーションセンター
-
金 全健
大阪大学先端化学イノベーションセンター
-
大森 裕
大阪大 先端科学イノベーションセ
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