ポリマーゲート絶縁膜を用いたフルオレン系有機発光トランジスタにおける絶縁層/半導体層界面の影響(有機デバイス・センサー,一般)

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概要

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• poly (9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole)(以下F8BT)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機発光トランジスタ(OLET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。OLETは有機半導体層とゲート絶縁膜の界面にキャリアが流れるので、その界面状態の影響を強く受ける。ポリマーゲート絶縁膜として代表的なアクリル樹脂であるpoly (methylmethacrylate)(以下PMMA)やフッ素系アモルファス樹脂Cytopおよび炭化水素重合体のpolycyclohexylethylene(以下PCHE)を用いて素子を作製した。PMMAを用いたF8BT素子は両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、黄緑色発光を示した。一方、CytOPを用いた素子の場合は、PMMAの発光特性と異なり、主に電子注入電極近傍でのみ発光が得られたことから、正孔のみ伝導している状態で、電極近傍のみ電子が注入されている単極性に近い特性を示した。PCHE/PMMA積層絶縁膜を用いることで、PMMA絶縁膜を用いた素子に比べて正孔移動度の改善が確認できた。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-10-04

著者

• 大森 裕

  大阪大学大学院工学研究科

• 田中 仁

  大阪大学大学院

• 梶井 博武

  大阪大学大学院工学研究科

• 池添 郁也

  大阪大学大学院工学研究科

• 平岡 浩一

  大阪大学大学院工学研究科

• 伊勢 雅人

  大阪大学大学院工学研究科

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