4次までの高調波位相制御を行ったC帯高効率電力増幅器の実験的検証(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
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概要
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高出力AlGaN/GaN HEMT電力増幅器に関し,C帯において,4次高調波までの位相制御を行うことにより高効率化を図った.各高調波に対して,トランジスタ内に生じる瞬時電流と瞬時電圧との位相差を±90°に調整することにより,トランジスタ内での高調波平均消費電力を零にすることができる.この位相制御をC帯で実現するために,低損失のアルミナ基板を用いたマイクロストリップ線路を用いて設計・試作を行った.それを用いて実際に5.8GHz帯でAlGaN/GaN HEMT電力増幅器を設計・試作し,5.65GHzで最大電力付加効率79.5%,最大ドレイン効率90.7%,飽和出力33.3dBmの良好な特性を得た.
- 2011-10-13
著者
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