熱酸化による銅表面酸化膜成長過程の構造調査(卒論・修論特集(ショートノート))

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概要

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電気接点はリレーやコネクタ、スイッチなどの接触部品として利用されている。近年では電子機器の集積化に伴い、接触部品も小型化、高周波化や接触の信頼性が求められている。しかし接触抵抗は、接触荷重、温度、湿度、ほこりなどの存在によって大きく変わることが知られている。本研究は良導体として広く用いられている銅の表面を強制的に酸化させたときに、酸化膜厚が厚くなるにつれて金ワイヤとの接触抵抗がどう変わるか、また接触抵抗測定から銅酸化膜の構造について調べることを目的としている。銅を200℃前後のホットプレートに乗せると、接触抵抗は急速に減少し一定の抵抗値に落ち着くことから、このような酸化の仕方の場合には銅酸化層はP型半導体になると推測される。
2011-02-25

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