SiO_2/LiNbO_3構造SAWデバイスにおけるSiO_2膜物性と周波数温度係数の相関性の検討
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概要
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SiO_2/LiNbO_3構造を用いた広帯域温度補償のSAWデバイスにおいて、FT-IR(Fourier-transform Infrared Spectroscopy)を用いたSiO_2膜物性の評価結果から、SiO_2膜物性(ピーク波数、半値幅)と周波数温度係数(TCF)に相関性があることがわかった。その結果、デバイスにおけるTCF改善指標を見出すことができ、SiO_2膜厚0.3λでTCF=0を実現することができた。
- 2010-09-22
著者
-
橋本 研也
千葉大学大学院工学研究科電気電子工学コース
-
上田 政則
富士通株式会社
-
上田 政則
富士通研
-
佐藤 良夫
富士通株式会社
-
上田 政則
株式会社富士通研究所佐藤フェロー室
-
佐藤 良夫
太陽誘電株式会社
-
佐藤 良夫
(株)富士通研究所
-
橋本 研也
千葉大学大学院
-
上田 政則
太陽誘電株式会社
-
松田 聡
太陽誘電株式会社
-
松田 隆志
太陽誘電(株)
-
三浦 道雄
太陽誘電株式会社
-
松田 隆志
太陽誘電株式会社
-
佐藤 良夫
(株)富士通研究所 明石研究所
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