炭素質薄膜/n-Si太陽電池の高効率化 : 表面電極の薄膜化の影響とITO堆積効果
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概要
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炭素質薄膜とn-Si との積層体(C/n-Si 積層体)太陽電池について表面金電極の薄膜化とITO 堆積による影響について検討した.表面金電極の薄膜化は,セルの直列抵抗を増加させ,結果として変換効率の低下をもたらす.しかし,表面金電極上にITO を堆積させることにより,セル抵抗の軽減,光の反射制御の効果により,変換効率が増加することが確認でき,今後の高効率化の可能性が示唆された.最高変換効率は,金膜厚100 ÅでITO を導入した時に観測され,その値は6.04%であった.
- 東海大学の論文
- 2006-03-31
著者
-
上村 税男
東海大学開発工学部素材工学科 千葉雅史
-
金子 友彦
東海大学開発工学部
-
上村 税男
東海大学開発工学部物質化学科
-
野田 智大
東海大学開発工学部素材工学研究科
-
金子 友彦
東海大学開発工学部物質化学科
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