2,3,5,6-テトラメチルピラジンを原料とする炭素質薄膜の電気的特性
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概要
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熱CVD 法により,2,3,5,6-テトラメチルピラジンを原料とする炭素質薄膜を調製し,その電気的特性について検討した.反応は550℃から顕著となり,電気伝導性を有する薄膜が調製された.薄膜の電気伝導率は反応温度の上昇に伴って増加し,特に650℃以上で顕著に増加したが,900℃以上ではその変化が緩慢であった.同じ温度で調製された場合,成長速度が遅いほど電気伝導率は高くなった.ホール効果測定の結果,650℃以下では正のホール係数を示し,p 型の半導体特性を有することが確認された.700℃以上では0 に近いが,負のホール係数を示した.電気伝導率は650℃以下では主にキャリア濃度が支配し,700℃以上では移動度の影響が大きいと考えられる.
- 2009-03-31
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