rf-マグネトロンスパッタにより調製したITO膜の特性評価
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概要
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ITO (indium tin oxide) films used as the surface electrode for photovoltalic cells were prepared with the rf-magnetron sputtering system (rf-power : 20W, atmosphere : Ar+O_2 (O_2:0.25%), total gas pressure : 1.33Pa). The optimum preparation conditions to obtain high conductive and high transmittance film were discovered (substrate temperature : 300-450℃, film thickness :> 500Å). The effect of substrate temperature and thickness of film on electrical and optical properties are discussed.
- 東海大学の論文
- 2002-03-30
著者
-
上村 税男
東海大学開発工学部素材工学科 千葉雅史
-
金子 友彦
東海大学開発工学部
-
上村 税男
東海大学開発工学部物質化学科
-
金子 友彦
東海大学開発工学部物質化学科
-
向囿 正教
東海大学開発工学部素材工学専攻
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