B222 サブミクロンSi MOSFETの熱・電気連成解析におけるメッシュサイズのゾーニング手法(エレクトロニクス機器・デバイスのサーマルマネージメント1)
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概要
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The results of electro-thermal analysis is strongly depended on the mesh size. However the appropriate mesh size or mesh zoning method were not reported. In the present work, we propose the mesh zoning method for electro-thermal analysis of Si MOSFET, which is derived from the theory of semiconductor physics. The calculation results show the results with zoned mesh have a good agreement with that with fine mesh. Mesh number can be reduced by using zoning method. As a result, our mesh zoning method can reduce the calculation time by at least 30 times.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2006-11-23
著者
-
岡崎 健
東京工業大学大学院理工学研究科機械制御システム専攻
-
畠山 友行
東工大院:日本学術振興会
-
伏信 一慶
東工大
-
岡崎 健
東工大
-
伏信 一慶
慶應義塾大学理工学部
-
伏信 一慶
東京工大
-
伏信 一慶
東京工業大学
-
岡崎 健
東京工大
-
小川 邦康
慶應義塾大学 理工学部 機械工学科
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