無声放電による非平衡プラズマ化学反応を用いたCVDシリコン酸化膜の特性 : 膜の形成と性質に及ぼす放電形態の影響(熱工学,内燃機関,動力など)
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概要
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A silent discharge is one of simplest methods for realizing a nonequilibrium plasma condition at atmospheric pressure. In this study, nonequilibrium plasma chemical reactions by this discharge have been applied to a remote plasma chemical vapor deposition (CVD) of silicon oxide films using Tetraethylorthosilicate (TEOS) and oxygen. And film characteristics by this CVD have been investigated for applications to advanced semiconductor devices. Conditions for depositing films with high quality have been investigated minutely. From these results, it has been clarified that silicon oxide films with high quality and excellent step coverage can be obtained by plasma excitation using pulsed silent discharge. Furthermore, it has been also clarified that films with similar characteristics can be obtained by plasma excitation using low frequency AC silent discharge at subatmospheric pressure.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2003-01-25
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