SiC-SBDのパッケージ内部における熱伝導に関する一検討(通信のための信号処理,符号理論,一般)
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概要
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半導体素子の電気的特性は温度によって変化する.特に,パワーデバイスでは動作条件により導通損失,スイッチング損失による発熱が大きく変化するため,電気的特性の変化を考慮した回路設計が必要となる.著者らが対象としているワイドバンドギャップ半導体であるSiC素子は,従来のSi素子よりも高い温度で動作させることが可能であり,それにより熱的な影響を考慮することの重要性が増してくる.本報告では,SiC-SBDのパッケージ内部での電力損失による熱伝導を回路シミュレータにより解析し,得られた結果について実験結果との比較,および検討を行っている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-27
著者
-
引原 隆士
京都大学大学院・工学研究科・電気工学専攻
-
舟木 剛
大阪大学
-
西尾 彬
京都大学
-
舟木 剛
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
西尾 彬
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
引原 隆士
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
舟木 剛
京都大学大学院
-
引原 隆士
京都大学大学院 工学研究科
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