逆回復特性と空乏層蓄積電荷を考慮したパワー・ダイオードモデルについての一検討
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概要
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半導体パワーデバイスを用いたスイッチング回路において,ダイオードの逆回復現象は回路の損失を増大させ,高速なスイッチングを制限する原因となる.このため,ダイオードの逆回復特性のモデリングを行い,評価することは,回路設計において重要である.本稿では,種々のバイアス条件及び電流変化率に対して測定したパワー・ダイオードの逆回復特性と,別途測定した容量-電圧特性から,空乏層への電荷の出入りについて考察し,これをもとに逆回復特性のモデリングに向けた検討を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-27
著者
-
引原 隆士
京都大学大学院・工学研究科・電気工学専攻
-
舟木 剛
大阪大学
-
澤田 高志
京都大学
-
舟木 剛
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
澤田 高志
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
引原 隆士
京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
舟木 剛
京都大学大学院
-
引原 隆士
京都大学大学院 工学研究科
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